研究院简介
南宫娱乐致力于成为全球领先的电子化学品和功能材料企业，自成立以来便高度重视研发，持续加大研发投入，充分激发创新活力，推动研发平台建设，提高技术创新能力，驱动自身、产业链以及行业的高质量发展。
创新履迹不息，科技驱动服务。经过28年的发展，南宫娱乐已建成集电池化学品、有机氟化学品、电容化学品及半导体化学品等研究、开发、技术服务、检测验证及信息管理于一体的南宫娱乐研究院。
公司积极与高等院校、产业链企业开展人才培养、科研、科技成果产业化等方面合作，助推公司整体研发水平和技术实力的进一步提升，丰富公司产品系列。同时，公司积极与行业专家构建资源优化配置的平台化生态，联合行业联盟和集群，推动制造业向低碳化、资源化、循环化以及智能化升级，进一步强化在新材料领域的市场地位。
实验室面积
研究部门
研发创新平台
专利申请
研发平台
国家企业技术中心
国家CNAS认可检测实验中心
广东省新型电子化学品工程技术研究开发中心
粤港澳光热电能源材料与器材联合实验室
深圳市重点企业研究院
深圳市新型电子化学品研究开发中心
深圳市锂离子动力电池电解液工程实验室
深圳市企业技术中心
院士（专家）工作站
博士后工作站分站
博士后创新实践基地
南方科技大学-南宫娱乐联合实验室
硬件保障
南宫娱乐研究院建立了以功能材料合成技术、材料提纯精制技术、微量分析测试技术、机理研究配方开发、元器件设计与测试五大核心技术模块为依托的技术创新平台，配备了高性能的研发设备，实现从前期元器件制作到性能测试及机理分析的全过程研究，为公司新产品、新技术的孵化提供源源不断的创新动力。
扫描电子显微镜
X射线光电子能谱仪
液相质谱联用仪
超高效液相色谱仪
燃烧离子色谱仪
电感耦合等离子体发射光谱仪
气质联用仪
气相色谱仪器
研发创新机制
创新是南宫娱乐发展的核心动力。南宫娱乐不断开拓创新，帮助公司适应市场变化，满足客户需求，保持竞争优势。通过把握国内外科技发展前沿，专注产品创新、工艺优化和产品性能优化，降低成本，不断激发研发人员的创新活力，完善研发管理体系，促进与高校、科研院校和产业链企业的合作与交流，加大知识产权保护力度，促进公司的高质量发展。
技术创新
| 新型添加剂
LDY196（不饱和酯类添加剂）
特性：
■ 在正负极表面成膜从而提升电池性能
■ 长循环稳定性 1C/1C＞3000周
■ 高热力学稳定性 85℃ 高温下保护您的电池
适用范围：高镍/高电压/碳硅电池
LDY269（碳酸酯类添加剂）
特性：
■ 参与负极SEI成膜，改善循环
■ 长循环稳定性 1C/1C＞2500周，长寿命
■ 拥有比VC更低的阻抗
适用范围：倍率型三元、高镍、高电压动力电池，高倍率启停电池、磷酸铁锂电池
SCT2584 （新型正/负极成膜添加剂）
特性：
■ 在三元正极材料表面形成更均匀更薄的CEI膜并抑制相变
■ 在负极先于EC成膜，抑制溶剂和锂盐的分解
■ 改善高电压高温循环和高温存储性能
■ 改善LCO体系热箱性能
适用范围：高电压钴酸锂电池，高镍/高压三元动力电池，磷酸锰铁锂电池
| 数码类电解液产品
南宫娱乐致力于数码类高电压、快充及硅基电池适配电解液的研究，提升电池综合性能
■ 高电压数码电池用电解液（4.45~4.53V）
采用具有自主知识产权的新型添加剂和配方的综合调控，使更高压的钴酸锂体系电池的综合性能得到有效保障
■ 超快充数码电池用电解液（4.4~4.5V）
采用新型溶剂组合实现2-5C快充要求，同时实现高低温性能兼顾
■ 硅基负极电池用电解液
采用具有自主知识产权的新型添加剂和配方的综合调控，使更高压的钴酸锂体系电池的综合性能得到有效保障
| 动力类电解液产品
■ 磷酸铁锂体系
南宫娱乐致力于高压实密度及高面密度的乘用车磷酸铁锂体系电池的研究与开发，通过低粘度溶剂和渗透添加剂的协同作用，解决了电解液在高压实下渗透难的问题，满足了乘用车对高低温兼顾的要求
■ 高电压三元体系
南宫娱乐采用具有耐氧化和电化学窗口宽等特点的溶剂、锂盐及添加剂配方，克服了传统碳酸酯类电解液适应性差、易分解等问题，极大地提升了电解液在高电压下的电化学性能，实现高电压下电池的安全高效耐用，循环寿命高达2000周以上
耐高压：工作截止电压4.25≤V≤4.5V
长循环：循环寿命高达2500周以上
■ 高镍电池体系
高镍/石墨体系电池：采用自主研发的正、负极成膜添加剂，搭配低粘度溶剂，使电池具备优良的低温性能与功率性能，该系列产品综合性能优良
高镍/硅碳体系电池：通过性能优良的正负极保护添加剂与新型氟代溶剂的配方优化设计，该系列产品兼顾耐高温和长循环性能，1C循环寿命超过1500周
| 超级电容器电解液
■ DLC3702系列：3.0V 高电压EDLC电解液
■ DLC3413/DLC3402系列：双85 EDLC高温电解液
应用领域：电网侧储能、水表、电表、燃气表
■ DLC3733系列：-55℃超低温EDLC电解液
应用领域：应用于低温领域
| 半导体化学品
■ Cu/AS一步蚀刻液
AS蚀刻速率：0-20Å/s
粗糙度：蚀刻前后无差异
金属残留：无
底切：无
使用寿命：≥7000ppm（以铜离子浓度计）
适用范围：应用于高世代面板铜制程高精度蚀刻，可满足金属+半导体层AS同时蚀刻的特定要求，以达到省去一道DRY蚀刻制程，大幅降低制造成本的目的。
上图为蚀刻不同AS深度的基板截面电镜图
■ IGZO兼容蚀刻液
IGZO腐蚀速率＜0.1Å/s
粗糙度：蚀刻前后无差异
金属残留：无
底切：无
使用寿命：≥4000ppm（以铜离子浓度计）
适用范围：应用于高世代面板铜制程高精度蚀刻，可满足金属层蚀刻的同时，对半导体层IGZO无Damage。
上图为蚀刻后，基板截面扫描电镜图
了解更多有关南宫娱乐的最新产品及解决方案，请南宫娱乐。
承担的政府项目
2015-2018年3项深圳市技术攻关项目
2018年国家电子信息产业技术改造项目
2012-2014年3项深圳市目技术创新计划项目
2016年国家重点研发计划项目
2018年深圳市 “创新链+产业链”融合专项
2017年广东省重大专项
2016年省战略性新兴产业区域集聚发展试点项目
2014年深圳市新材料产业链关键环节提升推广专项
2011-2014年3项省、市产学研合作项目
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